Вторичной электронной эмиссией называется процесс выхода электронов из твердых или жидких тел под действием бомбардировки их поверхности первичными электронами. Вторичная эмиссия характеризуется коэффициентом вторичной эмиссии :

где n₂ — число эмиттированных вторичных электронов; n₁ — число пришедших на поверхность первичных электронов; I₂ и I₁ — вторичный и первичный токи.
Величина зависит от энергии первичных электронов. С ростом энергии первичных электронов, соответствующей U₁ она быстро увеличивается, достигает максимума при некотором U_1макс и далее медленно убывает. В табл. 3-7 даны для ряда металлов.
На рис. 3-11 показан характер зависимости от угла падения первичных электронов на поверхность мишени. Эта зависимость хорошо описывается эмпирической формулой

где В и — постоянные для данного материала катода при определенной энергии первичных электронов; — угол падения первичных электронов, отсчитанный от нормали к поверхности.
Из табл. 3-7 видно, что у металлов σ_макс не превышает величин порядка 1,5. Поэтому в приборах, где явление вторичной эмиссии используется для усиления тока (фотоэлектронные умножители и др.), применяются полупроводниковые вторично-электронные катоды, у которых достигает 10-15.
В табл. 3-8 приведены значения и для современных вторично-электронных катодов.
Для распределения вторичных электронов по энергиям характерно наличие широкого пика в области малых энергий (до 40-50 В), относящегося к истинно вторичным электронам, и узкого пика при U₂, соответствующем энергии первичных электронов U₁. Этот узкий пик связан с наличием во вторичном токе упруго отраженных от мишени первичных электронов. Распределение вторичных электронов по энергиям для чистых металлов показано на рис. 3-12 и для кислородно-цезиевого катода — на рис. 3-13.
В случае чистых металлов а весьма мало зависит от температуры. У сложных полупроводниковых катодов довольно сильно изменяется при увеличении температуры (за исключением температуростоиких кислородно-магниевых и серебряно-магниевых катодов).